明佳達電子供應 ST【STL135N8F7AG】STripFET? F7 功率 MOSFET 晶體管隨著全球電子設備對高效能、小型化和節(jié)能需求的持續(xù)增長，功率半導體器件的創(chuàng)新成為行業(yè)發(fā)展的核心驅動力?！旧钲谑忻骷堰_電子有限公司】作為國際知名的電子元器件分銷商，長期供應ST 高性能功率MOSFE…
明佳達電子供應 ST【STL135N8F7AG】STripFET? F7 功率 MOSFET 晶體管
隨著全球電子設備對高效能、小型化和節(jié)能需求的持續(xù)增長，功率半導體器件的創(chuàng)新成為行業(yè)發(fā)展的核心驅動力?！?a href="http://shuxiangdadi.cn/" target="_self">深圳市明佳達電子有限公司】作為國際知名的電子元器件分銷商，長期供應ST 高性能功率MOSFET——STL135N8F7AG。該器件隸屬于STripFET? F7系列，憑借其卓越的能效表現(xiàn)和可靠性，為工業(yè)電源、消費電子、新能源及汽車電子等領域提供了更優(yōu)的解決方案。
一、產品概述：STL135N8F7AG核心特性
STL135N8F7AG是一款N溝道功率MOSFET，采用ST專有的STripFET? F7技術，專為高頻率開關和高效能轉換而設計。其關鍵參數(shù)如下：
系列：STripFET? F7
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：130A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.6 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），135W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼
供應商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
封裝/外殼：8-PowerVDFN
二、典型應用場景
STL135N8F7AG憑借其高性能，可廣泛應用于以下領域：
工業(yè)電源：服務器電源、通信基站電源等高效率AC/DC轉換模塊。
新能源系統(tǒng)：光伏逆變器、儲能系統(tǒng)（BESS）中的DC/DC變換器。
汽車電子：車載充電機（OBC）、電機驅動、LED照明驅動。
消費電子：快充適配器、無線充電設備，助力實現(xiàn)小型化與高能效。
三、明佳達電子為STL135N8F7AG提供以下支持：
品質保障：明佳達電子擁有穩(wěn)固可靠的供貨渠道，嚴格把控供應鏈，確保供應產品的穩(wěn)定性和可靠性。
充足庫存供應：明佳達電子備有充足的 STL135N8F7AG 庫存，可滿足客戶小批量樣品和大批量采購需求。
快速交貨： 明佳達電子依托高效的物流體系，確保產品快速交付至客戶手中。
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