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【SK hynix 存儲器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs

【SK hynix 存儲器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs

來源:本站時間:2024-11-04瀏覽數(shù):

【SK hynix 存儲器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMsHMAA8GR7CJR4N-XN 的描述HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs(寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM 雙列直插式內(nèi)存模塊)是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速運行內(nèi)存模塊。這些寄存 SDRAM DIMM …

【SK hynix 存儲器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs


HMAA8GR7CJR4N-XN 的描述

HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs(寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM 雙列直插式內(nèi)存模塊)是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速運行內(nèi)存模塊。這些寄存 SDRAM DIMM 用于在服務(wù)器和工作站等系統(tǒng)中作為主內(nèi)存使用。


HMAA8GR7CJR4N-XN 的規(guī)格

內(nèi)存容量:64GB

內(nèi)存技術(shù):DDR4 SDRAM

產(chǎn)品電壓:1.2V

內(nèi)存速度:3200 MHz

RAM Standard:DDR4-3200/PC4-25600

錯誤識別:ECC

信號類型:寄存

列訪問選通(CAS):CL22

級數(shù):雙級 x4

引腳數(shù)量:288 引腳

內(nèi)存類型:RDIMM


HMAA8GR7CJR4N-XN 的特點

電源: VDD=1.2V (1.14V 至 1.26V)

VDDQ= 1.2V (1.14V 至 1.26V)

VPP- 2.5V(2.375V 至 2.75V)

VDDSPD=2.25V 至 2.75V

16 個內(nèi)部存儲體

數(shù)據(jù)傳輸速率: PC4-3200、PC4-2933、2666、PC4-2400、PC4-2133、PC4-1866、PC4- 1600

雙向差分數(shù)據(jù)選通

8 位預(yù)取值

突發(fā)長度 (BL) 實時切換 BL8 或 BC4(突發(fā)斬波)

支持 ECC 錯誤糾正和檢測

片上終端 (ODT)

集成 SPD 的溫度傳感器

支持按 DRAM 尋址

可生成內(nèi)部 Vref DQ 電平

所有速度等級均支持寫 CRC

支持 DBI(數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn))(x8)

支持 CA 奇偶校驗(命令/地址奇偶校驗)模式


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