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[ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN

[ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN

來源:本站時間:2024-03-23瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN產(chǎn)品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 3x3mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。提供用于增強光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 A…

深圳市明佳達電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN


產(chǎn)品描述

NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 3x3mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。提供用于增強光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET 和 PPAP 適用于汽車應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.4A(Ta),28A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):26 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 38μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):11.5 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 50 V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)

封裝/外殼:8-PowerWDFN


產(chǎn)品特性

占用空間?。?x3 毫米)

低 RDS(導(dǎo)通)

低 QG 和電容

提供可潤濕側(cè)翼選項

符合 RoHS 規(guī)范


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