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供應(yīng)【ON】存儲(chǔ)器IC，供應(yīng)EEPROM存儲(chǔ)器、FLASH存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器、NVSRAM存儲(chǔ)器

深圳市明佳達(dá)電子有限公司——作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，憑借強(qiáng)大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專業(yè)的服務(wù)能力，持續(xù)為市場(chǎng)提供高品質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。其中，ON（安森美）的存儲(chǔ)器IC因其高性能、高可靠性及廣泛應(yīng)用場(chǎng)景，成為明佳達(dá)重點(diǎn)供應(yīng)的產(chǎn)品線之一。

ON（安森美）的存儲(chǔ)器IC覆蓋了多種技術(shù)類型，明佳達(dá)電子主要供應(yīng)以下幾大類：

EEPROM存儲(chǔ)器

特點(diǎn)：支持電可擦除編程，非易失性存儲(chǔ)，適用于配置參數(shù)、小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等場(chǎng)景。

應(yīng)用：消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等。

FLASH存儲(chǔ)器

特點(diǎn)：大容量、高速讀寫，支持塊擦除操作，適用于固件存儲(chǔ)、代碼執(zhí)行等。

應(yīng)用：物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能家居、通信模塊等。

SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）

特點(diǎn)：高速訪問、無(wú)需刷新，但需持續(xù)供電保持?jǐn)?shù)據(jù)，適用于緩存或臨時(shí)存儲(chǔ)。

應(yīng)用：醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、高性能計(jì)算。

NVSRAM（非易失性SRAM）

特點(diǎn)：結(jié)合SRAM速度和EEPROM非易失性，數(shù)據(jù)斷電不丟失。

應(yīng)用：航空航天、金融終端、關(guān)鍵數(shù)據(jù)備份。

以下是明佳達(dá)重點(diǎn)供應(yīng)的ON存儲(chǔ)器IC型號(hào)及其關(guān)鍵參數(shù)：

1. EEPROM系列存儲(chǔ)器

型號(hào)：CAT24C02 / CAT24C04 / CAT24C08

容量：2Kb / 4Kb / 8Kb

接口：I2C

封裝：SOIC-8, TSSOP-8

特點(diǎn)：低功耗，支持1.7V至5.5V寬電壓。

型號(hào)：CAT24M01

容量：1Mb

接口：SPI

封裝：SOIC-8

特點(diǎn)：高速讀寫（20MHz），適用于汽車電子。

2. FLASH系列存儲(chǔ)器

型號(hào)：LE25U40CMC

容量：4Mb

接口：SPI

封裝：USON-8

特點(diǎn)：支持低功耗模式，兼容工業(yè)溫度范圍（-40°C至85°C）。

型號(hào)：LE25S80

容量：8Mb

接口：SPI

封裝：SOIC-16

特點(diǎn)：雙通道讀取，提升數(shù)據(jù)傳輸效率。

3. SRAM系列存儲(chǔ)器

型號(hào)：CY62167EV30

容量：16Mb

接口：并行

封裝：TSOP-48

特點(diǎn)：高速訪問時(shí)間（45ns），適用于高速緩存。

型號(hào)：CY7C1041CV33

容量：4Mb

接口：異步

封裝：SOP-32

特點(diǎn)：低待機(jī)電流，延長(zhǎng)電池設(shè)備壽命。

4. NVSRAM系列存儲(chǔ)器

型號(hào)：CY14B101PA

容量：1Mb

接口：并行

封裝：SOIC-32

特點(diǎn)：自動(dòng)保存數(shù)據(jù)至EEPROM，抗震動(dòng)干擾。

型號(hào)：CY14E256

容量：256Kb

接口：SPI

封裝：SOIC-8

特點(diǎn)：快速寫入周期（<10ms），適用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄。

明佳達(dá)電子長(zhǎng)期為客戶提供多樣化的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。無(wú)論是EEPROM、FLASH還是高可靠性NVSRAM，均可通過明佳達(dá)快速獲取原廠產(chǎn)品及配套服務(wù)。如需具體型號(hào)參數(shù)或樣品申請(qǐng)，請(qǐng)聯(lián)系明佳達(dá)電子獲取信息。

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