NVMFS5113PLWFT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設計而設計,具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應用。
技術規(guī)格
FET 類型: P 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :10A(Ta),64A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 14 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 83 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 4400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),150W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級: 汽車級
資質:AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
應用
電源
電磁驅動器
負載開關
電機驅動器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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