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IMZA120R040M1H 采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。

產(chǎn)品屬性 

制造商 Infineon Technologies  

系列 CoolSiC?  

包裝 管件  

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 55A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 54.4 毫歐 @ 19.3A，18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 227W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-8  

封裝/外殼 TO-247-4 

應(yīng)用領(lǐng)域

電池化成

電動(dòng)汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

電源

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。